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AT45DB011D-SH-T

AT45DB011D-SH-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB011D-SH-T
PNEDA Teilenummer AT45DB011D-SH-T
Beschreibung IC FLASH 1M SPI 66MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AT45DB011D-SH-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB011D-SH-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB011D-SH-T, AT45DB011D-SH-T Datenblatt (Total Pages: 51, Größe: 2.475,46 KB)
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AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 2 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 3 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 4 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 5 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 6 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 7 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 8 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 9 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 10 AT45DB011D-MH-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB011D-SH-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße1Mb (264 Bytes x 512 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz66MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

72Kb (8K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

30ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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FM93CS46M8

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

S99-50350

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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