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AT28HC64B-12JI

AT28HC64B-12JI

Nur als Referenz

Teilenummer AT28HC64B-12JI
PNEDA Teilenummer AT28HC64B-12JI
Beschreibung IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AT28HC64B-12JI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT28HC64B-12JI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT28HC64B-12JI, AT28HC64B-12JI Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 323,8 KB)
PDFAT28HC64B-90PU Datenblatt Cover
AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 2 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 3 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 4 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 5 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 6 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 7 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 8 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 9 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 10 AT28HC64B-90PU Datenblatt Seite 11

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AT28HC64B-12JI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ms
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket32-PLCC (13.97x11.43)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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71V424S12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

48-TSOP

70V7519S133BFI

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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70V05L25J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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