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AT-32033-TR1

AT-32033-TR1

Nur als Referenz

Teilenummer AT-32033-TR1
PNEDA Teilenummer AT-32033-TR1
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V SOT23
Hersteller Broadcom
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AT-32033-TR1 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-32033-TR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-32033-TR1, AT-32033-TR1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 111,79 KB)
PDFAT-32033-TR1 Datenblatt Cover
AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 2 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 3 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 4 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 5 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 6 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 7 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 8 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 9 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 10 AT-32033-TR1 Datenblatt Seite 11

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AT-32033-TR1 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
Gewinn11dB ~ 12.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 2mA, 2.7V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.8dB

Leistung - max

39W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LT

Lieferantengerätepaket

55LT

AT-32032-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

17W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

2SC5085-O(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

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