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APTML202UM18R010T3AG

APTML202UM18R010T3AG

Nur als Referenz

Teilenummer APTML202UM18R010T3AG
PNEDA Teilenummer APTML202UM18R010T3AG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.856
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APTML202UM18R010T3AG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTML202UM18R010T3AG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTML202UM18R010T3AG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9880pF @ 25V
Leistung - max480W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SIZF906DT-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Leistung - max

38W (Tc), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)

FDC6020C_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.9A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

677pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6 FLMP

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 25V

Leistung - max

54W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

NTMFD4C88NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.7A, 14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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