Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZF906DT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZF906DT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis
1 ---------- $10,1603
100 ---------- $9,6840
250 ---------- $9,2077
500 ---------- $8,7315
750 ---------- $8,3346
1.000 ---------- $7,9377
Auf Lager 418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIZF906DT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZF906DT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZF906DT-T1-GE3, SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 226,64 KB)
PDFSIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIZF906DT-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIZF906DT-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3
  • SIZF906DT-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIZF906DT-T1-GE3 Stock

  • SIZF906DT-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIZF906DT-T1-GE3
  • SIZF906DT-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIZF906DT-T1-GE3 Price
  • SIZF906DT-T1-GE3 Distributor

SIZF906DT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET® Gen IV
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Leistung - max38W (Tc), 83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-PowerPair® (6x5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

VQ1006P

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

90V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

14-DIP

FDSS2407

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

62V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

2.27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ZXMC4A16DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6

Kürzlich verkauft

RCLAMP0502N.TCT

RCLAMP0502N.TCT

Semtech

TVS DIODE 6.5V 30V SLP1210N6

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V

AOZ1281DI

AOZ1281DI

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8DFN

TS4984IQT

TS4984IQT

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO PWR 1.2W AB 16TQFN

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

EP3C16F484I7N

EP3C16F484I7N

Intel

IC FPGA 346 I/O 484FBGA

LTM4616EV#PBF

LTM4616EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

EEE-FK1J220P

EEE-FK1J220P

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 63V SMD

9ZXL0831EKILF

9ZXL0831EKILF

IDT, Integrated Device Technology

DB800ZL

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

HCTL-1101-PLC

HCTL-1101-PLC

Broadcom

IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 44PLCC