SIZF906DT-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIZF906DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SIZF906DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 418 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 18 - Mär 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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SIZF906DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZF906DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZF906DT-T1-GE3, SIZF906DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZF906DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Leistung - max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
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