APTM100H80FT1G
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| Teilenummer | APTM100H80FT1G |
| PNEDA Teilenummer | APTM100H80FT1G |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTM100H80FT1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM100H80FT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTM100H80FT1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Leistung - max | 208W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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