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VHM40-06P1

VHM40-06P1

Nur als Referenz

Teilenummer VHM40-06P1
PNEDA Teilenummer VHM40-06P1
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VHM40-06P1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVHM40-06P1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VHM40-06P1, VHM40-06P1 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 91,83 KB)
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VHM40-06P1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallECO-PAC2
LieferantengerätepaketECO-PAC2

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTC60DSKM45T1G

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Hersteller

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Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTC80TDU15PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

UPA1764G(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

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-

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-

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