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APTGF50DH60T1G

APTGF50DH60T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF50DH60T1G
PNEDA Teilenummer APTGF50DH60T1G
Beschreibung IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF50DH60T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF50DH60T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF50DH60T1G, APTGF50DH60T1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 514,28 KB)
PDFAPTGF50DH60T1G Datenblatt Cover
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APTGF50DH60T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationAsymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2700A

Leistung - max

10500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 1800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT50GP60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FS100R17N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CM600HA-5F

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

960W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 10V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

165nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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