APTGF30TL601G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGF30TL601G |
| PNEDA Teilenummer | APTGF30TL601G |
| Beschreibung | POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGF30TL601G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGF30TL601G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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APTGF30TL601G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Three Level Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 42A |
| Leistung - max | 140W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.35nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 17.5nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ Trench Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 960W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 10V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 165nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 530A Leistung - max 2119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 25.3nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
