APTGF25H120T3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGF25H120T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGF25H120T3G |
| Beschreibung | IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 11 - Nov 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGF25H120T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGF25H120T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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APTGF25H120T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Leistung - max | 208W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 25A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 640W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 6.3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
