APT100GT120JU3
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| Teilenummer | APT100GT120JU3 |
| PNEDA Teilenummer | APT100GT120JU3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT100GT120JU3 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT100GT120JU3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT100GT120JU3 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 140A |
| Leistung - max | 480W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 341A Leistung - max 1042W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 300A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
