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APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Nur als Referenz

Teilenummer APT100GT120JU3
PNEDA Teilenummer APT100GT120JU3
Beschreibung IGBT 1200V 140A 480W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.976
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT100GT120JU3 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT100GT120JU3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT100GT120JU3 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)140A
Leistung - max480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF75DA120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Leistung - max

338W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EMIPAK2

Lieferantengerätepaket

EMIPAK2

VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

341A

Leistung - max

1042W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

BSM50GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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