APTC90AM602G
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| Teilenummer | APTC90AM602G |
| PNEDA Teilenummer | APTC90AM602G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC90AM602G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC90AM602G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTC90AM602G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 59A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Leistung - max | 462W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP2 |
| Lieferantengerätepaket | SP2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
