APTC90AM602G
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| Teilenummer | APTC90AM602G |
| PNEDA Teilenummer | APTC90AM602G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC90AM602G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC90AM602G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTC90AM602G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 59A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Leistung - max | 462W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP2 |
| Lieferantengerätepaket | SP2 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket Mini5-G1 |
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