Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APTC90AM602G

APTC90AM602G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC90AM602G
PNEDA Teilenummer APTC90AM602G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTC90AM602G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC90AM602G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTC90AM602G, APTC90AM602G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 385,52 KB)
PDFAPTC90AM602G Datenblatt Cover
APTC90AM602G Datenblatt Seite 2 APTC90AM602G Datenblatt Seite 3 APTC90AM602G Datenblatt Seite 4 APTC90AM602G Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APTC90AM602G Datasheet
  • where to find APTC90AM602G
  • Microsemi

  • Microsemi APTC90AM602G
  • APTC90AM602G PDF Datasheet
  • APTC90AM602G Stock

  • APTC90AM602G Pinout
  • Datasheet APTC90AM602G
  • APTC90AM602G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APTC90AM602G Price
  • APTC90AM602G Distributor

APTC90AM602G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionSuper Junction
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.59A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 100V
Leistung - max462W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP2
LieferantengerätepaketSP2

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

XN0187200L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

Mini5-G1

ZXMN3A06DN8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

796pF @ 25V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AON2803

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x2)

ZXMN3A04DN8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 15V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7509TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

Kürzlich verkauft

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

LT1085IM#PBF

LT1085IM#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A D2PAK-3

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

ERJ-M1WSF20MU

ERJ-M1WSF20MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.02 OHM 1% 1W 2512

CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

STM32L476VGT6

STM32L476VGT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

S25FL064P0XMFI001

S25FL064P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603

LTM8025IV#PBF

LTM8025IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-24V 3A

CY7C65632-28LTXC

CY7C65632-28LTXC

Cypress Semiconductor

IC USB HUB CTRLR 4PORT LP 28QFN