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AON2803

AON2803

Nur als Referenz

Teilenummer AON2803
PNEDA Teilenummer AON2803
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.124
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AON2803 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON2803
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON2803, AON2803 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 236,79 KB)
PDFAON2803 Datenblatt Cover
AON2803 Datenblatt Seite 2 AON2803 Datenblatt Seite 3 AON2803 Datenblatt Seite 4 AON2803 Datenblatt Seite 5

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AON2803 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 10V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-DFN-EP (2x2)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 15V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA, 145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

AO4614A

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CSD87588NT

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

736pF @ 15V

Leistung - max

6W

Betriebstemperatur

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