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2N7002PV,115

2N7002PV,115

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002PV,115
PNEDA Teilenummer 2N7002PV-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 34.674
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N7002PV Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002PV,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
2N7002PV, 2N7002PV Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 277,07 KB)
PDF2N7002PV Datenblatt Cover
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2N7002PV Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Leistung - max330mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

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Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

AUIRF7341Q

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 25V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.13A, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

570mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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Leistung - max

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