APTC60HM70BT3G
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| Teilenummer | APTC60HM70BT3G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60HM70BT3G |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60HM70BT3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60HM70BT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60HM70BT3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket MPT6 |
