APTC60HM24T3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTC60HM24T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60HM24T3G |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC60HM24T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APTC60HM24T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APTC60HM24T3G Datasheet
- where to find APTC60HM24T3G
- Microsemi
- Microsemi APTC60HM24T3G
- APTC60HM24T3G PDF Datasheet
- APTC60HM24T3G Stock
- APTC60HM24T3G Pinout
- Datasheet APTC60HM24T3G
- APTC60HM24T3G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC60HM24T3G Price
- APTC60HM24T3G Distributor
APTC60HM24T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 95A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Leistung - max | 462W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF, 305pF @ 15V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V Leistung - max 18W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220-5 Full-Pak |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Ta), 720mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC, 1.76nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 90pF, 110pF @ 10V Leistung - max 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 660mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V Leistung - max 48W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
