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APTC60DDAM70T3G

APTC60DDAM70T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60DDAM70T3G
PNEDA Teilenummer APTC60DDAM70T3G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.564
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APTC60DDAM70T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60DDAM70T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTC60DDAM70T3G, APTC60DDAM70T3G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 305,42 KB)
PDFAPTC60DDAM70T3G Datenblatt Cover
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APTC60DDAM70T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 2.8W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 35V

Leistung - max

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TA)

Montagetyp

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Cascoded)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3000Ohm @ 2mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

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