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APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60DDAM45CT1G
PNEDA Teilenummer APTC60DDAM45CT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTC60DDAM45CT1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60DDAM45CT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60DDAM45CT1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

467pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

IPG20N04S4L11ATMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 25V

Leistung - max

41W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

MMDF3N04HDR2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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