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UT6MA2TCR

UT6MA2TCR

Nur als Referenz

Teilenummer UT6MA2TCR
PNEDA Teilenummer UT6MA2TCR
Beschreibung UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UT6MA2TCR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUT6MA2TCR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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UT6MA2TCR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC, 6.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds180pF, 305pF @ 15V
Leistung - max2W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerUDFN
LieferantengerätepaketHUML2020L8

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 10mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

490nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 1000V

Leistung - max

1100W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

SP8M6FU6TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

UM6J1NTN

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

SI6924AEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

28V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

118A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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