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APTC60AM45BC1G

APTC60AM45BC1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60AM45BC1G
PNEDA Teilenummer APTC60AM45BC1G
Beschreibung MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.370
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTC60AM45BC1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60AM45BC1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60AM45BC1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA, 145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

ZXMN3G32DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

472pF @ 15V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 15.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1535pF @ 15V

Leistung - max

1.98W, 4.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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