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SI1035X-T1-E3

SI1035X-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1035X-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI1035X-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Hersteller Vishay Siliconix
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SI1035X-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1035X-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1035X-T1-E3, SI1035X-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 157,1 KB)
PDFSI1035X-T1-E3 Datenblatt Cover
SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI1035X-T1-E3 Datenblatt Seite 10

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SI1035X-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id400mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSC-89-6

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

STC5NF20V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 68mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

35000pF @ 10V

Leistung - max

1875W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

EPC2104

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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