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APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT65GP60B2G
PNEDA Teilenummer APT65GP60B2G
Beschreibung IGBT 600V 100A 833W TMAX
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $194,3656
50 ---------- $185,2547
100 ---------- $176,1438
200 ---------- $167,0329
400 ---------- $159,4405
500 ---------- $151,8481
Auf Lager 250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT65GP60B2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT65GP60B2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT65GP60B2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 65A
Leistung - max833W
Schaltenergie605µJ (on), 896µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/91ns
Testbedingung400V, 65A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

577W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/177ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

IXYH8N250C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/180ns

Testbedingung

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IXGF32N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

44A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

10.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

146nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/270ns

Testbedingung

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IRGS4B60KD1TRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RJH1CV5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

245W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/105ns

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Kürzlich verkauft

AD9515BCPZ

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Analog Devices

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MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

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RF DIODE PIN 6TDFN

TMP36GT9Z

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SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

SP0506BAATG

SP0506BAATG

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TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

ESD9B5.0ST5G

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TVS DIODE 5V SOD923

SMAJ36A

SMAJ36A

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TVS DIODE 36V 58.1V SMA

PCMB063T-3R3MS

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Susumu

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

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MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

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BLM18PG471SN1D

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FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

M50100TB1600

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