APT65GP60B2G
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| Teilenummer | APT65GP60B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT65GP60B2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 833W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 250 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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APT65GP60B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT65GP60B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT65GP60B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Leistung - max | 833W |
| Schaltenergie | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/91ns |
| Testbedingung | 400V, 65A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 8A Leistung - max 280W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/180ns Testbedingung 1250V, 8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 146A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 230W Schaltenergie 1.55mJ (on), 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/170ns Testbedingung 400V, 30A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 577W Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/177ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max 245W Schaltenergie 1.9mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/105ns Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 72W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/143ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
