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APT50GN60BG

APT50GN60BG

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GN60BG
PNEDA Teilenummer APT50GN60BG
Beschreibung IGBT 600V 107A 366W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.850
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT50GN60BG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GN60BG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT50GN60BG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)107A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 50A
Leistung - max366W
Schaltenergie1185µJ (on), 1565µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge325nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/230ns
Testbedingung400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

APT68GA60B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

715µJ (on), 607µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

298nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/133ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 75A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PLUS-220SMD

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

IKA08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

70µJ (on), 20µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/150ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

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