APT45GP120B2DQ2G
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| Teilenummer | APT45GP120B2DQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT45GP120B2DQ2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT45GP120B2DQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT45GP120B2DQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT45GP120B2DQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 113A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 170A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 185nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/100ns |
| Testbedingung | 600V, 45A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 16A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.97mJ (on), 790µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/336ns Testbedingung 850V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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