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ISL9V5036P3-F085

ISL9V5036P3-F085

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V5036P3-F085
PNEDA Teilenummer ISL9V5036P3-F085
Beschreibung IGBT 390V 46A 250W TO220AA-3
Hersteller ON Semiconductor
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ISL9V5036P3-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V5036P3-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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ISL9V5036P3-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)46A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 10A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/10.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

60µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

IRG4BC20UD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGH75T65SQD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

375W

Schaltenergie

760µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IKA15N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

35.7W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

STGB4M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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