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APT2X20DC60J

APT2X20DC60J

Nur als Referenz

Teilenummer APT2X20DC60J
PNEDA Teilenummer APT2X20DC60J
Beschreibung DIODE MODULE 600V 20A SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT2X20DC60J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT2X20DC60J
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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APT2X20DC60J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 20A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr400µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketSOT-227

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

640mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-244

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

APT15DS60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

13A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

4V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

14ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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