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APT2X61DQ120J

APT2X61DQ120J

Nur als Referenz

Teilenummer APT2X61DQ120J
PNEDA Teilenummer APT2X61DQ120J
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $80,0466
50 ---------- $76,2944
100 ---------- $72,5422
200 ---------- $68,7900
400 ---------- $65,6632
500 ---------- $62,5364
Auf Lager 16.121
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT2X61DQ120J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT2X61DQ120J
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
APT2X61DQ120J, APT2X61DQ120J Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 285,55 KB)
PDFAPT2X61DQ120J Datenblatt Cover
APT2X61DQ120J Datenblatt Seite 2 APT2X61DQ120J Datenblatt Seite 3 APT2X61DQ120J Datenblatt Seite 4

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  • APT2X61DQ120J Distributor

APT2X61DQ120J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.1V @ 60A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)265ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Serie

-

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1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.8V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IDFW60C65D1XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

56A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

112ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TO-263AB

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