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APT20GN60BG

APT20GN60BG

Nur als Referenz

Teilenummer APT20GN60BG
PNEDA Teilenummer APT20GN60BG
Beschreibung IGBT 600V 40A 136W TO247
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $46,0342
100 ---------- $43,8763
250 ---------- $41,7185
500 ---------- $39,5606
750 ---------- $37,7624
1.000 ---------- $35,9642
Auf Lager 275
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APT20GN60BG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT20GN60BG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT20GN60BG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 20A
Leistung - max136W
Schaltenergie230µJ (on), 580µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9ns/140ns
Testbedingung400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/90ns

Testbedingung

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/365ns

Testbedingung

960V, 55A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

IXGH12N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/850ns

Testbedingung

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGW60H65DFB-4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

346µJ (on), 1.161mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/261ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

APT20GT60BRDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

215µJ (on), 245µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

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