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AON6980

AON6980

Nur als Referenz

Teilenummer AON6980
PNEDA Teilenummer AON6980
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 3.384
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON6980 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON6980
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON6980, AON6980 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 481,92 KB)
PDFAON6980 Datenblatt Cover
AON6980 Datenblatt Seite 2 AON6980 Datenblatt Seite 3 AON6980 Datenblatt Seite 4 AON6980 Datenblatt Seite 5 AON6980 Datenblatt Seite 6 AON6980 Datenblatt Seite 7 AON6980 Datenblatt Seite 8 AON6980 Datenblatt Seite 9 AON6980 Datenblatt Seite 10

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AON6980 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieSRFET™
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1095pF @ 15V
Leistung - max3.5W, 4.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V

Leistung - max

940mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

ALD1101BSAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

QJD1210SB1

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTM50AM17FG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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