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AOC2413

AOC2413

Nur als Referenz

Teilenummer AOC2413
PNEDA Teilenummer AOC2413
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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AOC2413 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOC2413
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOC2413, AOC2413 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 256,85 KB)
PDFAOC2413 Datenblatt Cover
AOC2413 Datenblatt Seite 2 AOC2413 Datenblatt Seite 3 AOC2413 Datenblatt Seite 4 AOC2413 Datenblatt Seite 5

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AOC2413 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 1.5A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id650mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Vgs (Max)±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1935pF @ 4V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)550mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-AlphaDFN (1.57x1.57)
Paket / Fall4-SMD, No Lead

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

FDMS2D5N08C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

166A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 380µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6240pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

138W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power56

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STY139N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

363nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15600pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

MAX247™

Paket / Fall

TO-247-3

NTMFS5C410NT1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Ta), 300A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.92mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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