BUK9605-30A,118
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| Teilenummer | BUK9605-30A,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK9605-30A-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 35.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK9605-30A Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK9605-30A,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK9605-30A Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 33A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Outline (11-Solder Bar) Paket / Fall Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16.4A (Ta), 101A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 14A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 121W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 56A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.7mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 61µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 60V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 107W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.08W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UltraSO-8™ Paket / Fall 3-PowerSMD, Flat Leads |
