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AOB5B65M1

AOB5B65M1

Nur als Referenz

Teilenummer AOB5B65M1
PNEDA Teilenummer AOB5B65M1
Beschreibung IGBT 650V 5A TO263
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOB5B65M1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOB5B65M1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOB5B65M1, AOB5B65M1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 558,85 KB)
PDFAOT5B65M1 Datenblatt Cover
AOT5B65M1 Datenblatt Seite 2 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 3 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 4 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 5 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 6 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 7 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 8 AOT5B65M1 Datenblatt Seite 9

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AOB5B65M1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.98V @ 15V, 5A
Leistung - max83W
Schaltenergie80µJ (on), 70µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8.5ns/106ns
Testbedingung400V, 5A, 60Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)195ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)

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IXBH16N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 16A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

APT40GP90BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4BC40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

510A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1075A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

2300W

Schaltenergie

3.35mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

438nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

RJH60F6DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 45A

Leistung - max

297.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/131ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

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