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AO9926C

AO9926C

Nur als Referenz

Teilenummer AO9926C
PNEDA Teilenummer AO9926C
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 4.752
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AO9926C Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO9926C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AO9926C, AO9926C Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 1.145,56 KB)
PDFAO9926C Datenblatt Cover
AO9926C Datenblatt Seite 2 AO9926C Datenblatt Seite 3 AO9926C Datenblatt Seite 4 AO9926C Datenblatt Seite 5

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AO9926C Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

136mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

128pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

ECH8672-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZXMN10A08DN8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDS8960C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

35V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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