US6J2TR
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| Teilenummer | US6J2TR |
| PNEDA Teilenummer | US6J2TR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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US6J2TR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | US6J2TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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US6J2TR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | TUMT6 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerUDFN Lieferantengerätepaket HUML2020L8 |
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