AO8820
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| Teilenummer | AO8820 |
| PNEDA Teilenummer | AO8820 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.082 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AO8820 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO8820 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AO8820 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1573pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V, 600pF @ 10V Leistung - max 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 540mA, 420mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1454pF @ 6V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
