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SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI3529DV-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI3529DV-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 2.628
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SI3529DV-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3529DV-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI3529DV-T1-GE3, SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 146,83 KB)
PDFSI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI3529DV-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI3529DV-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds205pF @ 20V
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

Leistung - max

1.65W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 3.8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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HUFA76504DK8T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ECH8659-TL-HX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

ECH8601M-P-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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