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AO4882

AO4882

Nur als Referenz

Teilenummer AO4882
PNEDA Teilenummer AO4882
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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AO4882 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4882
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AO4882, AO4882 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 343,75 KB)
PDFAO4882 Datenblatt Cover
AO4882 Datenblatt Seite 2 AO4882 Datenblatt Seite 3 AO4882 Datenblatt Seite 4 AO4882 Datenblatt Seite 5

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AO4882 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds415pF @ 20V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 30V, 436pF @ 30V

Leistung - max

1.4W (Ta), 5.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

AONX38168

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

XSPairFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC, 85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.15nF, 4.52nF @ 12.5V

Leistung - max

3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

APTC80TDU15PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

APTM100A18FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

Leistung - max

780W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

131A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 5mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 1000V

Leistung - max

625W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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