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AO4630

AO4630

Nur als Referenz

Teilenummer AO4630
PNEDA Teilenummer AO4630
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 399.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AO4630 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4630
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AO4630, AO4630 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 506,11 KB)
PDFAO4630 Datenblatt Cover
AO4630 Datenblatt Seite 2 AO4630 Datenblatt Seite 3 AO4630 Datenblatt Seite 4 AO4630 Datenblatt Seite 5 AO4630 Datenblatt Seite 6 AO4630 Datenblatt Seite 7 AO4630 Datenblatt Seite 8 AO4630 Datenblatt Seite 9

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AO4630 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A, 7.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 20V

Leistung - max

3.1W, 3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

TSM3911DCX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.23nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

882.51pF @ 6V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1170pF @ 50V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

APTM100A40FT1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

305nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7868pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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