ALD1101BPAL
Nur als Referenz
| Teilenummer | ALD1101BPAL |
| PNEDA Teilenummer | ALD1101BPAL |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD1101BPAL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD1101BPAL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD1101BPAL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 617pF @ 25V Leistung - max 68W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
