AIKQ120N60CTXKSA1

Nur als Referenz
Teilenummer | AIKQ120N60CTXKSA1 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | AIKQ120N60CTXKSA1 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO247-3 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 4.846 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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AIKQ120N60CTXKSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | AIKQ120N60CTXKSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIKQ120N60CTXKSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 480A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 120A |
Leistung - max | 833W |
Schaltenergie | 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 772nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 33ns/310ns |
Testbedingung | 400V, 120A, 3Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-46 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max 25W Schaltenergie 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12.5ns/105ns Testbedingung 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |