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AFT26HW050SR3

AFT26HW050SR3

Nur als Referenz

Teilenummer AFT26HW050SR3
PNEDA Teilenummer AFT26HW050SR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.058
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AFT26HW050SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFT26HW050SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
AFT26HW050SR3, AFT26HW050SR3 Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 754,71 KB)
PDFAFT26H050W26SR3 Datenblatt Cover
AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 2 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 3 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 4 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 5 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 6 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 7 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 8 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 9 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 10 AFT26H050W26SR3 Datenblatt Seite 11

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AFT26HW050SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.69GHz
Gewinn14.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung9W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780-4S4
LieferantengerätepaketNI-780-4S4

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

21.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

14W

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

75W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M250

Lieferantengerätepaket

M250

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

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