AFGB30T65SQDN
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| Teilenummer | AFGB30T65SQDN |
| PNEDA Teilenummer | AFGB30T65SQDN |
| Beschreibung | 650V/30A FS4 IGBT TO263 A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AFGB30T65SQDN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AFGB30T65SQDN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AFGB30T65SQDN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 220W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | 56nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14.5ns/63.2ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 245ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK-3 (TO-263-3) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 147W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/250ns Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A Leistung - max 347W Schaltenergie 930µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/150ns Testbedingung 800V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/150ns Testbedingung 480V, 12A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/130ns Testbedingung 400V, 30A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
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