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A2T23H160-24SR3

A2T23H160-24SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T23H160-24SR3
PNEDA Teilenummer A2T23H160-24SR3
Beschreibung IC TRANS RF LDMOS
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2T23H160-24SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T23H160-24SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T23H160-24SR3, A2T23H160-24SR3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 449,43 KB)
PDFA2T23H160-24SR3 Datenblatt Cover
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A2T23H160-24SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.3GHz
Gewinn17.7dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest350mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4L2L
LieferantengerätepaketNI-780S-4L2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.02GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

170mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1130B

Lieferantengerätepaket

CDFM4

BLF6G38S-25,118

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

8.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

225mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-608B

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

ATF-531P8-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

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MF-MSMF075-2

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FIN1002M5X

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MCP23S17T-E/SO

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MIC5235-3.3YM5-TR

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ADM3202ARNZ-REEL

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IC VREF SERIES 3.3V SOT23-3

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

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RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

MCP1725-3302E/MC

MCP1725-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN