BLD6G21LS-50,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLD6G21LS-50,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLD6G21LS-50-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLD6G21LS-50 Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLD6G21LS-50,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLD6G21LS-50 Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.02GHz |
| Gewinn | 14.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 10.2A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 170mA |
| Leistung - Leistung | 8W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-1130B |
| Lieferantengerätepaket | CDFM4 |
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Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 30MHz ~ 175MHz Gewinn 13dB ~ 22dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) 16A Rauschzahl - Stromtest 250mA Leistung - Leistung 150W Spannung - Nennspannung 125V Paket / Fall P-244 Lieferantengerätepaket P-244 |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz Gewinn 17.2dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.74A Leistung - Leistung 60W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT539A Lieferantengerätepaket SOT539A |
