A2T18H455W23NR6
Nur als Referenz
| Teilenummer | A2T18H455W23NR6 |
| PNEDA Teilenummer | A2T18H455W23NR6 |
| Beschreibung | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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A2T18H455W23NR6 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | A2T18H455W23NR6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
A2T18H455W23NR6, A2T18H455W23NR6 Datenblatt
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A2T18H455W23NR6 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gewinn | 14.5dB |
| Spannungstest | 31.5V |
| Nennstrom (Ampere) | 10µA |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.08A |
| Leistung - Leistung | 56dBm |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | OM-1230-4L2S |
| Lieferantengerätepaket | OM-1230-4L2S |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
