A2T18H455W23NR6 Datenblatt
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NXP
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A2T18H455W23NR6
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz Gewinn 14.5dB Spannungstest 31.5V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 1.08A Leistung - Leistung 56dBm Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall OM-1230-4L2S Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2S |