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A2T18H100-25SR3

A2T18H100-25SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T18H100-25SR3
PNEDA Teilenummer A2T18H100-25SR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $1.339,3664
50 ---------- $1.276,5836
100 ---------- $1.213,8008
200 ---------- $1.151,0180
400 ---------- $1.098,6990
500 ---------- $1.046,3800
Auf Lager 649
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2T18H100-25SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T18H100-25SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T18H100-25SR3, A2T18H100-25SR3 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 737,59 KB)
PDFA2T18H100-25SR3 Datenblatt Cover
A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 2 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 3 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 4 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 5 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 6 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 7 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 8 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 9 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 10 A2T18H100-25SR3 Datenblatt Seite 11

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A2T18H100-25SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.81GHz
Gewinn18.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest230mA
Leistung - Leistung18W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780-4S4
LieferantengerätepaketNI-780-4S4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.47GHz ~ 1.51GHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

56A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

SD57060-10

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1252-1

Lieferantengerätepaket

SOT1252-1

PTF210451F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-31265-2

BF862,235

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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RCLAMP3654P.TCT

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BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

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C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

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BC857B

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