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A2T08VD021NT1

A2T08VD021NT1

Nur als Referenz

Teilenummer A2T08VD021NT1
PNEDA Teilenummer A2T08VD021NT1
Beschreibung AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.166
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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A2T08VD021NT1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T08VD021NT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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A2T08VD021NT1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
Transistortyp-
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

7mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

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Cree/Wolfspeed

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

17A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440217

Lieferantengerätepaket

440217

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.66GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

68V

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

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Leistung - Leistung

10W

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65V

Paket / Fall

H32259-2

Lieferantengerätepaket

H-32259-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

36W

Spannung - Nennspannung

65V

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