A2G26H281-04SR3
Nur als Referenz
| Teilenummer | A2G26H281-04SR3 |
| PNEDA Teilenummer | A2G26H281-04SR3 |
| Beschreibung | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.084 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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A2G26H281-04SR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | A2G26H281-04SR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
A2G26H281-04SR3, A2G26H281-04SR3 Datenblatt
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A2G26H281-04SR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gewinn | 14.2dB |
| Spannungstest | 48V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 150mA |
| Leistung - Leistung | 50W |
| Spannung - Nennspannung | 125V |
| Paket / Fall | NI-780S-4L |
| Lieferantengerätepaket | NI-780S-4L |
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