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BLF7G24LS-160P,112

BLF7G24LS-160P,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G24LS-160P,112
PNEDA Teilenummer BLF7G24LS-160P-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
Hersteller Ampleon
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BLF7G24LS-160P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G24LS-160P,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G24LS-160P, BLF7G24LS-160P Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.170,09 KB)
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BLF7G24LS-160P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

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-

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-

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Spannung - Nennspannung

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.452GHz ~ 1.511GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

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Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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